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美国劳伦斯利佛摩国家实验室（LLNL）正在研究利用所谓的「大孔径铥（BAT）」雷射技术，来改善EUV光刻机的用电效率。 路透美国知名的劳伦斯利佛摩国家实验室（LLNL）正在研发一种拍瓦（千兆瓦）级的铥雷射（Thulium laser），据称效率比目前用于半导体极紫外光（EUV）设备里的二氧化碳雷射高上十倍，可望在多年后取代二氧化碳雷射。
1 C {# p8 C( z4 n$ e' ?7 V科技新闻网站Tom's Hardware报导，LLNL领导的项目正在评估使用所谓的「大孔径铥（Big Aperture Thulium，BAT）」雷射技术，来强化EUV的能源效率。 这个进展可望为新一代的「超EUV」光刻系统铺路，未来生产芯片速度会更快，但耗电量却能减少。 - O- Z* p3 U) }4 V% e8 T
和现有的二氧化碳雷射技术相比，BAT雷射技术可达到拍瓦级的输出，因此能提高能源效率; 而且雷射波长也较短，因此理论上也能提升极紫外光的转化率; 同时，BAT系统使用的二极管激发式固态雷射技术，也能提供整体更好的用电效率和热能管理。
8 ^* e4 ^6 B5 ^不过，由于要把BAT技术导入到半导体制造中，将需大幅改变基建设备，因此还需观察需要多久时间才能获得成果; 目前的EUV系统花了数十年时间研发。 & S8 y' Q' C: z$ Z
目前的低数值孔径极紫外光（Low-NA EUV）和下一代的高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）的特点之一，就是都极度耗电，耗电功率分别高达1,170瓩（KW）和1,400瓩。
8 Z$ q/ y, @" E6 u9 t. G有鉴于此，半导体业分析公司TechInsights对半导体厂耗电量发出警讯。 该公司预期，全球半导体厂用电量将在2030年达到每年54,000百万瓩（GW），超越新加坡或希腊一国的耗电量。 下一代的High-NA EUV光刻设备进入市场后，耗电量只增不减。 因此，寻找更具耗电效率的技术驱动EUV设备，势必是半导体业的未来趋势。
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